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制造商IC编号 | H9HCNNNBPUMLHR-NMER |
厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
IC 类别 | LPDDR4 SDRAM |
IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.1 V |
温度规格 | -25 C~+85 C |
速度 | 3733 MBPS |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Generation | 1st |
Package Material | Lead & Halogen Free |
Hynix Memory | H |
Product Mode | LPDDR4 Only |
Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
Nvm Option | None |
Dram Density | 16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
Nvm Speed | none |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
---|---|---|---|
H9HCNNNBPUMLHR-NMER | 618 | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
---|---|---|---|---|
H9HCNNNBPUMLHR-NME | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-GGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ000 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJ0JP | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJT | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCJT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:A | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |
MT53E512M32D2NP-053RSWT:G | WFBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -25 C~+85 C |