K4A4G165WE-BCTD

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BCTD000
K4A4G165WE-BCTD0CV
K4A4G165WE-BCTDT00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

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Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4A4G165WE-BCTD000 17.920 2049 Auf Lager Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD000 8.960 2046 Auf Lager Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD000 1.120 2013 Auf Lager Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTDT00 4.000 2052 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BCTD 73.920 20+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 30 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 1.640 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 163 19+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 20.160 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 11.000 21+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 10.080 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 120 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 2.004 1822+/1819 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 70 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN4G6NAFR-VJC FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKC FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKCR FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKIR FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKKR FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-075UB FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-075UBL FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G1646F-BCTD FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G165WC-BCTD FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G165WE-BCTD IC FBGA-96 1.2V 2666 MBPS 0 C~+85 C