K4H511638B-TCCC

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Hersteller-Nummer K4H511638B-TCCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0°C~+85°C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638B-TCCC 1.478 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT46V32M16TG-5B:F TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5B:J TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5BC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5BF TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5BJ TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5BT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG-5BTSOP66200M TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG5BMICRON TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M16TG5BTSOP66 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C