K4H511638B-TCCC

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4H511638B-TCCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0°C~+85°C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638B-TCCC 1.478 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638C-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCC00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-CCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UC/LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC 25 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C