K4H511638B-TCCC

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Hersteller-Nummer K4H511638B-TCCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638B-TCCC 1.478 2007+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638G-LCCCTR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638G-LCCCY TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638GLCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638H-UCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC0000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCC: TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C