K4S511632M-TC75

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Hersteller-Nummer K4S511632M-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 32MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S511632M-TC75000
K4S511632M-TC75T
K4S511632M-TC75T00
K4S511632MTC7500

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 1st Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S511632M-TC75 5.500 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 885 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 16 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 100,000+ Anfrage senden
K4S511632M-TC75 5 DC0313 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 7 DC0313 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 5 313 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 7 313 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 0 Anfrage senden
K4S511632M-TC75 100 4 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS51165ABTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS51165ABTA-75 ELPIDA TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ABTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ABTA-75-A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ABTA-75E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ABTA75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ABTA7A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116ADTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116AKTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
EDS5116AKTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C