K4S641633H-RN75

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S641633H-RN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S641633H-RN75( )
K4S641633H-RN75000
K4S641633H-RN750JR
K4S641633H-RN75T

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 9th Generation
Power Low, i-TCSR

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S641633H-RN75 4.000 Anfrage senden
K4S641633H-RN75 9.600 14+ Anfrage senden
K4S641633H-RN75 2.609 05+ Anfrage senden
K4S641633H-RN75 24 DC0452 Anfrage senden
K4S641633H-RN75 2.171 2005+ Anfrage senden
K4S641633H-RN75 481 2005+ Anfrage senden
K4S641633H-RN75000 597 Anfrage senden
K4S641633H-RN75 6.107 Anfrage senden
K4S641633H-RN75 1.000 Anfrage senden
K4S641633H-RN75 1.318 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M641632K-BN75 FBGA-54 3.3 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-HN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633H-RE75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BG750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75000 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN750JR FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M641633K-BN75T00 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C