K4T1G164QE-HCE6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T1G164QE-HCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QE-HCE60
K4T1G164QE-HCE6000
K4T1G164QE-HCE60JR
K4T1G164QE-HCE6:
K4T1G164QE-HCE6T
K4T1G164QE-HCE6T00
K4T1G164QE-HCE6T000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QE-HCE6 12.800 Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 922 Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 44 1007+ Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 5.000 21+ Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 20.000 09+ Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 4 DC09 Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 4 9 Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 1.280 10+ Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 294 2011 Anfrage senden
K4T1G164QE-HCE6 12.500 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EM68C16CWQD-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68C16CWVB-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160BF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2C-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2F-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160C2FL-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T1G160CF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC 1G160BF-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G1602F-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18TC1G160C2F-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C