K4T1G164QG-BIE6

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4T1G164QG-BIE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T1G164QG-BIE6000
K4T1G164QG-BIE6T00
K4T1G164QG-BIE6TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T1G164QG-BIE6000 6.500 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 8.000 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 1.280 1507+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6TCV 4.000 2年内 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6TCV 10.000 2年内 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 2.485 15+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 500 15+ Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 2.000 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 2.400 Anfrage senden
K4T1G164QG-BIE6 50.000 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT47H64M16HR-3IT:H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS1G1631CFP-Y5I FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
HY5PS1G1631CLFP-Y5I-C FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640A-3DBLA1 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640A-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBI-TR FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBLA1 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640BL-3DBLI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C
IS43DR16640C-3DBI FBGA-84 1.8 V 667 MBPS -40 C~+85 C