K4B4G1646E-BMMA

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4B4G1646E-BMMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3L
共通IC编号 K4B4G1646E-BMMA00
K4B4G1646E-BMMA000
K4B4G1646E-BMMA0CV
K4B4G1646E-BMMAT
K4B4G1646E-BMMATCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 -40 C~+95 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量 1120
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B4G1646E-BMMA 11,200 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 20,160 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 8,960 22+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 20,160 23+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 0 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 22,400 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 22,400 23+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA 18,000 DC22+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMATCV 100,000+ 索取报价
K4B4G1646E-BMMA0CV 90,823 索取报价

可替代IC编号

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT41K256M16TW-107 AIT:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
H5TC4G63CFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDI FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
H5TC4G63EFR-RDIR FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256AL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-BM BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-107MBLI-TR BGA-96 1.35V/1.5V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646D-BMMA FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
K4B4G1646E-BMMA0CV SAM FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K256M16HA-107 AIT ES:E FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C
MT41K256M16HA-107 AIT:E FBGA-96 1.35V 1866 MBPS -40 C~+95 C