K4H511638B-TCCCTM0

产品概述

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制造商IC编号 K4H511638B-TCCCTM0
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR1 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR1

产品详情

脚位/封装 TSOP2(66)
外包装 TRAY
无铅/环保 含铅
电压(伏) 2.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 200 MHZ
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4H511638B-TCCCTM0 2,000 N/A 索取报价
K4H511638B-TCCCTM0 2,000 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4H511638C-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCC00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-CCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UC/LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC 25 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C