K4T51163QQ-BCE6

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产品概述

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制造商IC编号 K4T51163QQ-BCE6
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR2 SDRAM
IC代码 32MX16 DDR2
共通IC编号 K4T51163QQ-BCE6000
K4T51163QQ-BCE60000
K4T51163QQ-BCE6T00
K4T51163QQ-BCE6T000
K4T51163QQ-BCE6TCV

产品详情

脚位/封装 FBGA-84
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.8 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

库存

IC 编号 数量 单价 (USD) 生产年份 附记
K4T51163QQ-BCE6000 200 1404 AB库存 索取报价

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4T51163QQ-BCE6 4,000 索取报价
K4T51163QQ-BCE6000 200 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 3,000 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 0 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 10,240 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 5,120 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 10,000 索取报价
K4T51163QQ-BCE6T00 18,000 16+ 索取报价
K4T51163QQ-BCE6000 20,000 15+ 索取报价
K4T51163QQ-BCE6 12,800 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
EM68B16CWPA-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWPA-3H 512MB DDR2 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQC-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BEP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-Y5-C FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C