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製造商IC編號 | K4A4G085WE-BITD |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR4 SDRAM |
IC代碼 | 512MX8 DDR4 |
共通IC編號 | K4A4G085WE-BITD000 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.2V |
溫度規格 | -40 C~+95 C |
速度 | 2666 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 512M |
Bit Organization | x8 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
MT40A512M8SA-062E IT:F | FBGA-78 | 1.2V | 3200 MBPS | -40 C~+95 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
H5AN4G8NBJR-VKI | FBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075E AIT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075E IT:B | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
MT40A512M8RH-075EAITB | FBGA-78 | 1.2V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |
NT5AD512M8D3-HRI | TFBGA-78 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+95 C |