K4A4G085WE-BITD

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4A4G085WE-BITD
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR4 SDRAM
IC代碼 512MX8 DDR4
共通IC編號 K4A4G085WE-BITD000

產品詳情

脚位/封装 FBGA-78
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.2V
溫度規格 -40 C~+95 C
速度 2666 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4A4G085WE-BITD000 16,640 索取報價
K4A4G085WE-BITD 2,000 索取報價

可替代IC編號

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
MT40A512M8SA-062E IT:F FBGA-78 1.2V 3200 MBPS -40 C~+95 C

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5AN4G8NBJR-VKI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075E AIT:B FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075E IT:B FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
MT40A512M8RH-075EAITB FBGA-78 1.2V 2666 MBPS -40 C~+95 C
NT5AD512M8D3-HRI TFBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+95 C