圖片僅供參考
製造商IC編號 | K4T1G084QJ-BCE7 |
廠牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 類別 | DDR2 SDRAM |
IC代碼 | 128MX8 DDR2 |
共通IC編號 | K4T1G084QJ-BCE70 |
K4T1G084QJ-BCE7000 | |
K4T1G084QJ-BCE70CV |
脚位/封装 | FBGA-60 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.8 V |
溫度規格 | 0 C~+95 C |
速度 | 800 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Number Of Words | 128M |
Bit Organization | x8 |
Density | 1G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 11th Generation |
Power | Normal Power |
IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
---|---|---|---|
K4T1G084QJ-BCE7 | 10,000 | 22+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7 | 10,240 | DC22+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7 | 5,000 | 19+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7 | 10,000 | 索取報價 | |
K4T1G084QJ-BCE7 | 51,200 | 22+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7 | 2,560 | 索取報價 | |
K4T1G084QJ-BCE7 | 51,200 | 21+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7000 | 100,000+ | 22+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7000 | 50,000 | 22+ | 索取報價 |
K4T1G084QJ-BCE7 | 1,280 | 2201 | 索取報價 |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
K4T1G084QJ-BCE70AC | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+85 C |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
---|---|---|---|---|
AS4C128M8D2-25BCN | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C128M8D2-25BCNTR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C128M8D2A-25BCN | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
AS4C128M8D2A-25BCNTR | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108ACBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108ACBG/ACSE-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108ACSE-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108ACSE/ACBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108AEBG-8E-E | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |
EDE1108AEBG-8E-F | FBGA-60 | 1.8 V | 800 MBPS | 0 C~+95 C |