K4ZAF325BM-HC14
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4ZAF325BM-HC14 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | GDDR6 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX32 GDDR6 |
| 共通IC編號 | K4ZAF325BM-HC14000 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-180 |
| 外包裝 | TRAY |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 14 GB/S |
| 標準包裝數量 | 1120 |
| 標準外箱 | |
| Bit Organization | x32 |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 1st Generation |
| Power | Normal Power |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4ZAF325BM-HC14 | 20,000 | 2021+ | 索取報價 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 0 | 索取報價 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10,080 | 索取報價 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 20,000 | 2022+ | 索取報價 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 25 | 索取報價 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 30,240 | 索取報價 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 40,000 | 索取報價 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 6,000 | 19+ | 索取報價 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 2,120 | 2022 | 索取報價 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10,080 | 2021+ | 索取報價 |
可替代IC編號
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS6DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| H56G42AS6DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| K4ZAF325BM-HC18 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |