H5DU2562GTR-E3J

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer H5DU2562GTR-E3J
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 16MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Operating Temperature industrial temperature(-40°C~85°C) & low power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 4 banks
Die Generation 8th
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5DU2562GTR-E3J 7.400 Anfrage senden
H5DU2562GTR-E3J 14.600 Anfrage senden
H5DU2562GTR-E3J 0 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
A3S56D40EF-G5PZ TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40ETP-G5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40ETP-G5PP TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40ETP-G5PZ TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40ETP-G5RZ TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40FTP-G5 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
A3S56D40FTP-G5PZ TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD2516AATA-5C-E TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD2516ABTA-5B-E TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C
EDD2516AETA-5B-E TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+70 C