H5GQ8H24MJR-R4C

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5GQ8H24MJR-R4C
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie GDDR5 SDRAM
IC-Code 256MX32 GDDR5
Andere Bezeichnungen H5GQ8H24MJR-R4CR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V/1.55
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 3.5 GHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x32
Density 8G
Operating Temperature commercial temperature(0°C ~ 85°C) & normal power
Package Material Lead free & Halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 16 banks
Die Generation 1st
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5GQ8H24MJR-R4C 100 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 1.680 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 5.000 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 5.000 17+ Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 2.400 18+ Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 2.400 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 10.000 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4CR 100,000+ Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4C 2.405 Anfrage senden
H5GQ8H24MJR-R4CR 13.000 18+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4G80325FB-HC25 FBGA-170 1.35V/1.5V 8.0 GBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5GQ8H24MJR FBGA 1.35V/1.55 3.5 GHZ 0 C~+85 C
H5GQ8H24MJR-R6C FBGA 1.35V/1.55 3.5 GHZ 0 C~+85 C