H5TQ1G63EFR-RDC

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TQ1G63EFR-RDC
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR3

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Operating Temperature commercial temperature(0°C~85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
No Of Banks 8 banks
Die Generation 6th
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TQ1G63EFR-RDC 15.000 Anfrage senden
H5TQ1G63EFR-RDC 1.600 Anfrage senden
H5TQ1G63EFR-RDC 12.800 Anfrage senden
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H5TQ1G63EFR-RDC 9.600 Anfrage senden
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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ1G63DFR-RDC FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B1G1646I-BCMA FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B1G1646I-BCMA000 FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B1G1646I-BCMA0CV FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B1G1646I-BCMAT00 FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
K4B1G1646I-BCMATCV FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CB64M16FP-EK FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CB64M16GP-EK FBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
W631GG6KB-11 VFBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
W631GG6MB-11 VFBGA-96 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C