H5TQ4G63EFR-TEI

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TQ4G63EFR-TEI
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen H5TQ4G63EFR-TEIR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 2133 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Operating Temperature industrial temperature(-40°C~85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TQ4G63EFR-TEI 160 2203+ Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-TEI 14.766 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-TEI 2.000 Anfrage senden
H5TQ4G63EFR-TEI 2.235 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ4G63CFR-TEI FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256A-093NBA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256A-093NBLI-TR FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256B-093NBA1 FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256B-093NBLI-TR FBGA-96 1.5 V 2133 MBPS -40 C~+95 C
IS43TR16256BL-093NBA1 BGA-96 1.35V/1.5V 2133 MBPS -40 C~+95 C