H5TQ4G83EFR-RDC

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H5TQ4G83EFR-RDC
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen H5TQ4G83EFR-RDC 2.67USD
H5TQ4G83EFR-RDC USD
H5TQ4G83EFR-RDC/TEC

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Operating Temperature commercial temperature(0°C~85°C) & normal power
Package Material lead & halogen free(ROHS compliant)
Hynix Memory H
Die Generation 6th
No Of Banks 8 banks
Product Family DRAM
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H5TQ4G83EFR-RDC 0 Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 19.200 Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 0 2245+/23+ Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 9.600 Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 20.000 Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 8.000 21+ Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 12.800 Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 19.200 22+ Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 19.200 DC22+ Anfrage senden
H5TQ4G83EFR-RDC 9.600 2022+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
NT5CB512M8CN-EK TFBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CB512M8DN-EK TFBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CB512M8DN-EK(HK) TFBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C
NT5CB512M8EN-EK TFBGA-78 1.5 V 1866 MBPS 0 C~+95 C