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Hersteller-Nummer | H9CCNNNBLTMLAR-NTM |
Hersteller | SK HYNIX |
Produktkategorie | LPDDR3 MOBILE |
IC-Code | 512MX32 LPDDR3 |
Gehäuse | FBGA |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2V |
Betriebstemperatur | Mobile (-30°C~85°C) |
Geschwindigkeit | 800 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Generation | 1st |
Package Material | Lead & Halogen Free |
Hynix Memory | H |
Product Mode | MCP DDR3 Only |
Dram Voltage | 1.2V/1.2,x32 |
Nvm Option | None |
Dram Density | 16Gb, QDP, 1Ch, 2CS |
Nvm Speed | none |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 1 | Anfrage senden | |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 9 | Anfrage senden | |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 14 | 12+ | Anfrage senden |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 110 | Anfrage senden | |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 1.586 | 20140418 | Anfrage senden |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 16.920 | 20140503 | Anfrage senden |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 10.080 | 20140504 | Anfrage senden |
H9CCNNNBLTMLAR-NTM | 2.549 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4E6E304ED-EGCF | FBGA-178 | 1.8V/1.2V/ | 1866 MBPS | -25 C~+85 C |