H9HCNNN8KUMLHR-NLE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNN8KUMLHR-NLE
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 3200 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 2.797 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 2.797 2020+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 0 19+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 200 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 12.140 2017+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 12.222 2017+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 12.220 2017+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 7.130 2016+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NLE 7.126 2016+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53B256M32D1NP-062WT:CD9 WFBGA-200 1.1 V 3200 MBPS -25 C~+85 C(WIR