H9HCNNN8KUMLHR-NME

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Hersteller-Nummer H9HCNNN8KUMLHR-NME
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl 240
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 1st
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNN8KUMLHR-NME 9.600 2025+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NME 0 Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NME 0 21+/24+ Anfrage senden
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H9HCNNN8KUMLHR-NME 7.200 20+ Anfrage senden
H9HCNNN8KUMLHR-NME 5.420 20+ Anfrage senden
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H9HCNNN8KUMLHR-NME 53 21+ Anfrage senden
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H9HCNNN8KUMLHR-NME 1.200 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F8E304HB-MGCH FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCH000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCHT00 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCJ MOQ 100K FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCJ X00 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCJ000 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCJT00 FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E304HB-MGCL FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HB-MGCJ FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C