H9HCNNNBKMMLHR-NME

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNNBKMMLHR-NME
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4X SDRAM
IC-Code 1GX16 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/0.6V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNNBKMMLHR-NME 3.514 Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 12.000 Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 10.000 22+ Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 12.000 DC20+ Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 10.000 Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 0 Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 10.076 18+19+/20+ Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 50.000 DC22+ Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 50.000 Anfrage senden
H9HCNNNBKMMLHR-NME 200 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-053 WT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -35 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNNBKUMLHR-NME FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -25 C~+85 C