H9HCNNNBKMMLHR-NMO

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNNBKMMLHR-NMO
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4X SDRAM
IC-Code 1GX16 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+105 C
Geschwindigkeit 3733 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Generation 1st
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/0.6V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
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Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H9HCNNNBKUMLHR-NMEO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMER FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMO FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR FBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -40 C~+105 C