H9HCNNNBKUMLHR-NMEO
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | H9HCNNNBKUMLHR-NMEO |
| Hersteller | SK HYNIX |
| Produktkategorie | LPDDR4 SDRAM |
| IC-Code | 1GX16 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 3733 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 1st |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 16Gb, DDP, 2Ch, 1CS |
| Nvm Speed | none |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBKUMLHR-NMER | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| H9HCNNNBKUMLHR-NMO | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |
| H9HCNNNBKUMLHR-NMOR | FBGA-200 | 1.1 V | 3733 MBPS | -40 C~+105 C |