HY51V65173HGT-5

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY51V65173HGT-5
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY51V65173HGT-5 7.670 2001+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 5.000 2007+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 950 2001+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 5.068 2003+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 1.215 2003+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 775 2003 Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 20.000 2003+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 775 2003+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 8.902 2003+ Anfrage senden
HY51V65173HGT-5 10.000 200144 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY51V65164ASLTC-5 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ASLTC-50 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ASLTC-50DR TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ASLTC-50HYUN TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ASLTE-5 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ASTC-50 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ATC-5 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164ATC-50 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164CSLTC-50 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C
HY51V65164TC-50 TSOP2(50) 1.8 V 50 NS 0 C~+85 C