HY57V161610ET-6DR
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2(50) |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | |
| Geschwindigkeit | 166 MHz |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 1M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 16M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Interface | LVTTL |
| Die Generation | 6th Gen. |
| No Of Banks | 2 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| HY57V161610ET-6DR | 100,000+ | 2005+ | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-6DR | 30.000 | 04 | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-6DR | 20.000 | Anfrage senden | |
| HY57V161610ET-6DR | 10.000 | Anfrage senden | |
| HY57V161610ET-6DR | 11.520 | Anfrage senden | |
| HY57V161610ET-6DR | 11.520 | 2005+ | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-6DR | 30.000 | Anfrage senden | |
| HY57V161610ET-6DR | 2.000 | 2004 | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-6DR | 2.000 | Anfrage senden | |
| HY57V161610ET-6DR | 20.000 | 2004+ | Anfrage senden |