HY57V161610ET-8DR
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2(50) |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | |
| Geschwindigkeit | 125 MHz |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 1M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 16M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Interface | LVTTL |
| Die Generation | 6th Gen. |
| No Of Banks | 2 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| HY57V161610ET-8DR | 11.500 | 2004+ | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-8DR | 40.000 | 04 | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-8DR | 10.000 | 2004+ | Anfrage senden |
| HY57V161610ET-8DR | 50.000 | 04 | Anfrage senden |