HY57V281620ETH-6

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Hersteller-Nummer HY57V281620ETH-6
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material Halogen free
Hynix Memory HY
Interface LVTTL
Die Generation 6th Gen.
No Of Banks 4 banks
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1216AGTA-6B TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-6B-E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AHTA-6B-E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EM639165TS-6G TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EM639165TS-6G NBSP TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EM639165TS-6G,8 16,TSOP5 TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EM639165TSC-6G TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EM639165TSC-6G TR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
HY57V28160AT-6 TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
HY57V28160HCT-6 TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C