HY57V281620HCT-H

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer HY57V281620HCT-H
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen HY57V281620HCT-H #160
HY57V281620HCT-H #160 #1
HY57V281620HCT-H / P
HY57V281620HCT-H 8MX16SDR
HY57V281620HCT-H X
HY57V281620HCT-H(AT-S)
HY57V281620HCT-H-T
HY57V281620HCT-H/M
HY57V281620HCT-H7
HY57V281620HCT-HMT
HY57V281620HCT-HTDR
HY57V281620HCT-HTR
HY57V281620HCTH
HY57V281620HCTH #

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Interface LVTTL
Die Generation 4th Gen.
No Of Banks 4 banks
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V281620HCT-H 328 0440- Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 1.857 04+,05+ Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 100,000+ Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 120 3 Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 328 Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 328 ,0440+ Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 784 Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 1.857 Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 5.000 Anfrage senden
HY57V281620HCT-H 8.410 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1216AATA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-F TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75E (LEADFREE TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75L-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75TH-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA75E128MTSOP TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C