HY57V281620HGTP-H

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY57V281620HGTP-H
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material Lead free
Hynix Memory HY
Interface LVTTL
Die Generation 5th Gen.
No Of Banks 4 banks
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V281620HGTP-H 11.520 Anfrage senden
HY57V281620HGTP-H 11.520 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1216AATA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75-F TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75E (LEADFREE TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75L-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA-75TH-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AATA75E128MTSOP TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS1216AGTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C