HY57V561620CT6DR
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2(54) |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+70 C |
| Geschwindigkeit | 166 MHz |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Package Material | normal |
| Hynix Memory | HY |
| Interface | LVTTL |
| Die Generation | 4th Gen. |
| No Of Banks | 4 banks |
| Power Consumption | normal power |
| Shipping Method | tray |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| HY57V561620CT6DR | 829 | 06+ | Anfrage senden |
| HY57V561620CT6DR | 829 | 200614 | Anfrage senden |
| HY57V561620CT6DR | 829 | 2006+ | Anfrage senden |
| HY57V561620CT6DR | 12.000 | Anfrage senden | |
| HY57V561620CT6DR | 10.000 | Anfrage senden | |
| HY57V561620CT6DR | 12.000 | 06+ | Anfrage senden |
| HY57V561620CT6DR | 22.000 | Anfrage senden | |
| HY57V561620CT6DR | 10.000 | 06+ | Anfrage senden |
| HY57V561620CT6DR | 50.000 | Anfrage senden | |
| HY57V561620CT6DR | 100,000+ | Anfrage senden |