HY57V641620ETF-H-C

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY57V641620ETF-H-C
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Interface LVTTL
Hynix Memory HY
No Of Banks 4 banks
Die Generation 6th Gen.
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V641620ETF-H-C 933 06+ Anfrage senden
HY57V641620ETF-H-C 933 06 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS64164AHTA-75E TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AATA-75-E TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AFTA-75-E TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AFTA75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-E ELPIDA TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-E(PB FREE) TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-ENBSP TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75/6B-E TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75L TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C