HY57V641620ETHC

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer HY57V641620ETHC
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Interface LVTTL
Die Generation 6th Gen.
No Of Banks 4 banks
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V641620ETHC 401 06+ Anfrage senden
HY57V641620ETHC 50.000 2006+ Anfrage senden
HY57V641620ETHC 100.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS64164AHTA-75E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AATA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AFTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AFTA75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-E ELPIDA TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-E(PB FREE) TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75-ENBSP TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-75/6B-E TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C