HY57V64162HGT-6

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Hersteller-Nummer HY57V64162HGT-6
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Density 64M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Die Generation 5th Gen.
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V64162HGT-6 2 Anfrage senden
HY57V64162HGT-6 4.300 2003+ Anfrage senden
HY57V64162HGT-6 10.000 01+ Anfrage senden
HY57V64162HGT-6 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C4M16S-6TCN TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
AS4C4M16SA-6TCN TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
AS4C4M16SA-6TCNTR TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-6B TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-6B-E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA-6B-E ELPIDA TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AHTA6E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AJTA-6B TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416AJTA-6B-E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C
EDS6416HTA6B-E TSOP2(54) 3.3 V 166 MHZ 0 C~+70 C