HY57V641632ET-H

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY57V641632ET-H
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Package Material normal
Hynix Memory HY
Die Generation 6th Gen.
No Of Banks 8 banks
Power Consumption normal power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY57V641632ET-H 80.000 2005+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V641632FTP-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V641632HGT-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY57V641632HGTP-H TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A1P-75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A2-75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A2-75:G TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A2-75C TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A2-75F TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A2-75G TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C
MT48LC4M16A27G-75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ 0 C~+70 C