HY5DU121622CLT-J

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY5DU121622CLT-J
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Package Material normal
Interface SSTL_2
Hynix Memory HY
No Of Banks 4 banks
Die Generation 4th Gen.
Package Stack single die
Power Consumption low power
Shipping Method tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
HY5DU121622CLT-J 4.800 Anfrage senden
HY5DU121622CLT-J 4.800 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD5116ABTA-7A TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA-7A TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7AE TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7AL TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7ALE TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7B TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7BE TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7BL TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116ADTA7BLE TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD5116AFTA-7A TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C