HY5DU281622ETP-J

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Produktübersicht

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Hersteller-Nummer HY5DU281622ETP-J
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 8MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+70 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Package Material Lead free(ROHS* compliant)
Interface SSTL_2
Hynix Memory HY
No Of Banks 4 banks
Die Generation 1st Gen.
Package Stack single die
Shipping Method tray

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FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD1216AATA-7A TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD1216AATA-7A-E TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD1216AATA7BE TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD1216AJTA-7A-E TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD1216AJTA-7B-E TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
EDD1216ALTA-7A TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY5DU 281622DT-J TSOP2 2.5 V 133 MHZ 0 ~ 70 C
HY5DU281620ETJ TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 ~ 70 C
HY5DU281622ALT-K TSOP2 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C
HY5DU281622AT-J TSOP2 2.5 V 133 MHZ 0 C~+70 C