HY5V66EF6P-P

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	HY5V66EF6P-P
Hersteller	SK HYNIX
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	4MX16 SD
Andere Bezeichnungen	HY5V66EF6P-P-C

Produktbeschreibung

Gehäuse	FBGA-60
Verpackung	TRAY
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+70 C
Geschwindigkeit	100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Package Material	Lead free
Hynix Memory	HY
Die Generation	6th Gen.
Power Consumption	normal
Shipping Method	tray

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
HY5V66EF6P-P	1.920		Anfrage senden
HY5V66EF6P-P-C	76.389		Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
HY5V66GF-P	FBGA-60	3.3 V	100 MHZ	0 C~+70 C