K4A4G085WE-BCPB

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Hersteller-Nummer K4A4G085WE-BCPB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G085WE-BCPB000
K4A4G085WE-BCPB0CK
K4A4G085WE-BCPB0CV
K4A4G085WE-BCPBT
K4A4G085WE-BCPBT00
K4A4G085WE-BCPBTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2133 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G085WE-BCPB 17.920 25+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPBTCV 0 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 12.800 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 2.388 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 1.280 17+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 1.127 1540 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 2.411 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 175 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPB 20.000 2017+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCPBT00 1.188 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M8SA-062E:F FBGA-78 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN4G8MFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NA/MFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAFR-TFC: FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NAGR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NBJR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NBJR-TFCR FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NMFR-TFC FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G8NMFR-TFCBID FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C
HSAN4G8NBJR-TFCR FBGA-78 1.2 V 2133 MBPS 0 C~+85 C