K4A4G085WE-BCTD

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4A4G085WE-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G085WE-BCTD00
K4A4G085WE-BCTD000
K4A4G085WE-BCTDTCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G085WE-BCTD 100,000+ 2021+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 51.200 22+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 51.200 DC22+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 10.240 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 50.000 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTDTCV 80.000 2143+ Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 30.720 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 30.000 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 51.200 Anfrage senden
K4A4G085WE-BCTD 20.160 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A512M8SA-062E:F FBGA-78 1.2 V 3200 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4A4G085WF-BCTDTCT FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCTDTCV FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCWE FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCWE0CV FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G085WF-BCWETCV FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8HX-075 ES:A FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8HX-075E ES:A FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8RH-075E ES:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8RH-075E:B FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
MT40A512M8RH-075E:B TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C