K4A4G085WG-BIWE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G085WG-BIWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 8th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
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K4A4G085WG-BIWE 8.960 24+ Anfrage senden
K4A4G085WG-BIWE 0 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C512M8D4-75BIN FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
AS4C512M8D4-75BINTR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
AS4C512M8D4A-75BIN FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
AS4C512M8D4A-75BINTR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR85120B-075UBLA1 FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR85120B-075UBLI FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR85120B-075UBLI-TR FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G085WF-BITD FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G085WF-BITD000 FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G085WF-BITDOCV FBGA-78 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C