K4A4G165WE-BCTD

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BCTD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BCTD000
K4A4G165WE-BCTD00P
K4A4G165WE-BCTD0CV
K4A4G165WE-BCTDT00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BCTD 13.064 20+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 17.920 25+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 10.821 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 0 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 20.000 20+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 10.000 24+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 20.000 20 Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 2.240 22+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD000 2.240 20+ Anfrage senden
K4A4G165WE-BCTD 5.000 22+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5AN4G6NAFR-VJC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NAFR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKC FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKCR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKIR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
H5AN4G6NBJR-VKKR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-075UB FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-075UBL FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
IS43QR16256B-075UBL-TR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C
K4A4G1646F-BCTD FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS 0 C~+85 C