K4A4G165WE-BITD

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A4G165WE-BITD
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 256MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A4G165WE-BITD0CV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Generation 6th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A4G165WE-BITD 3.000 Anfrage senden
K4A4G165WE-BITD0CV 245 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT40A256M16GE 083E:B FBGA-96 1.2 V 2400 MBPS 0 C~+70 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4A4G165WF-BIWE FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G165WF-BIWE000 FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A4G165WF-BIWE0CV FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C