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Hersteller-Nummer | K4A4G165WE-BITD |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR4 SDRAM |
IC-Code | 256MX16 DDR4 |
Andere Bezeichnungen | K4A4G165WE-BITD0CV |
Gehäuse | FBGA-96 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.2 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 2666 MBPS |
Standard Stückzahl | 1120 |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x16 |
Density | 4Gb |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 6th Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4A4G165WE-BITD | 3.000 | Anfrage senden | |
K4A4G165WE-BITD0CV | 245 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT40A256M16GE 083E:B | FBGA-96 | 1.2 V | 2400 MBPS | 0 C~+70 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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K4A4G165WF-BIWE | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WF-BIWE000 | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |
K4A4G165WF-BIWE0CV | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | -40 C~+85 C |