K4B1G0846G-BCH9

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Hersteller-Nummer K4B1G0846G-BCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846G -BCH9000
K4B1G0846G-BCH90
K4B1G0846G-BCH9000
K4B1G0846G-BCH9T
K4B1G0846G-BCH9T00
K4B1G0846G-BCH9TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846G-BCH9 5.500 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 43.643 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 20.000 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 3 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 0 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 960 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 500 16+ Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 5.660 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 1.000 Anfrage senden
K4B1G0846G-BCH9 1.080 12+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TQ1G83EFR-H9C FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846C-ZCG8 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCG9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846CZCG7 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HC9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH8T FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C