K4B1G0846G-BYH9

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4B1G0846G-BYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3L
Andere Bezeichnungen K4B1G0846G-BYH9000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Low VDD(1.35V)
Generation 8th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846G-BYH9000 1.204 Anfrage senden
K4B1G0846G-BYH9 2.000 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TC1G83BFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC1G83EFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC1G83EFR-H9AR FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TC1G83TFR-H9A FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
IS43TR81280AL-15GBL FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HYH9 FBGA-78 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846F-HYH9 FBGA-78 1.35 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M8HX-15E ES:D FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M8HX-15E:D FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
MT41K128M8JP-15E ES:F FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C