K4B1G0846G-BYH9

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4B1G0846G-BYH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846G-BYH9000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 8th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846G-BYH9000 1.204 Anfrage senden
K4B1G0846G-BYH9 2.000 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4B1G0846C-ZCG8 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCG9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846C-ZCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846CZCG7 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCF9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846D-HCH9000 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HC9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH8T FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B1G0846E-HCH9 FBGA-78 1.35V 1333 MBPS 0 C~+85 C