K4B1G0846I-BCK0

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4B1G0846I-BCK0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 128MX8 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G0846I-BCK0000
K4B1G0846I-BCK00CV
K4B1G0846I-BCK0T
K4B1G0846I-BCK0T00
K4B1G0846I-BCK0TCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 1600 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 128M
Bit Organization x8
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 10th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G0846I-BCK0TCV 0 Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 2 Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 2.700 19+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 20.000 19+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 700 1801+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 700 18+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 704 1801+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 2.056 19+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 704 18+ Anfrage senden
K4B1G0846I-BCK0 20.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
NT5CC128M8F VFBGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC128M8FN-DI VFBGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC128M8GN-DI VFBGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+95 C
NT5CC128M8GN-DI-DG VFBGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+95 C