K4B1G1646E-HCF8TDE
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4B1G1646E-HCF8TDE |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR3 SDRAM |
| IC-Code | 64MX16 DDR3 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-96 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 1066 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 64M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 1G |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Generation | 6th Generation |
| Power | Normal Power |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4B1G1646E-HCF8TDE | 8.000 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| MT41J64M16JT-187E:B | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J64M16JT-187E:E | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |
| MT41J64M16JT-187E:G | FBGA-96 | 1.5 V | 1066 MBPS | 0 C~+85 C |