K4B1G1646E-HCH9

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4B1G1646E-HCH9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3 SDRAM
IC-Code 64MX16 DDR3
Andere Bezeichnungen K4B1G1646E-HCH90
K4B1G1646E-HCH9000
K4B1G1646E-HCH90DT
K4B1G1646E-HCH9T
K4B1G1646E-HCH9T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1333 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B1G1646E-HCH9 1.473 2011+ Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 4.000 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 3.000 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 961 11+ Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 30 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 2.181 2011 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 12.500 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 2.560 10+ Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 150 Anfrage senden
K4B1G1646E-HCH9 1.120 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EM6GC16EWXA-15H FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
EM6GC16EWXD-15H FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63BFR-H9C-CROHS FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63BFR-H9C-FBGA96 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63BFR-H9CROHS FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63DFR-H9CR FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63EFR-H9C FBGA-96 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63EFR-H9C,DDR3-FBGA96 FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
H5TQ1G63EFR-H9CR FBGA-96 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
HXB15H1G160CF-15H FBGA-96 1.5V 1333 MBPS 0 C~+85 C